High-NA EUV量产进展

ASML的High-NA EUV光刻机（0.55 NA）已在2025年底开始交付。首批设备将用于3nm以下节点的量产。

关键参数对比

参数EUV (0.33 NA)High-NA EUV (0.55 NA)
分辨率13nm8nm
产能160wph185wph
光源功率350W500W

光刻胶材料创新

金属氧化物光刻胶（MOR）正在替代传统化学放大光刻胶（CAR），以实现更高的分辨率和更低的线宽粗糙度（LWR）。