SiC MOSFET的优势
相比传统Si IGBT,SiC MOSFET在电动汽车牵引逆变器中展现出显著优势:
- 开关频率提升3-5倍
- 系统效率提升5-8%
- 散热系统简化
- 续航里程增加5-10%
市场渗透率
2026年SiC在电动汽车主驱逆变器中的渗透率预计达到35%,市场规模超过50亿美元。
产能规划
Wolfspeed、ST、英飞凌等厂商的8英寸SiC产线正在加速建设。
相比传统Si IGBT,SiC MOSFET在电动汽车牵引逆变器中展现出显著优势:
2026年SiC在电动汽车主驱逆变器中的渗透率预计达到35%,市场规模超过50亿美元。
Wolfspeed、ST、英飞凌等厂商的8英寸SiC产线正在加速建设。
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